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FQU13N10LTU

产品描述MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
产品类别分立半导体    晶体管   
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FQU13N10LTU概述

MOSFET N-CH 100V 10A IPAK

FQU13N10LTU规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
制造商包装代码369AR
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Samacsys DescriptionON SEMICONDUCTOR - FQU13N10LTU - MOSFET, N CH, 100V, 10A, TO-251AA-3
雪崩能效等级(Eas)95 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)10 A
最大漏极电流 (ID)10 A
最大漏源导通电阻0.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-251
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)40 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

FQU13N10LTU相似产品对比

FQU13N10LTU
描述 MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Brand Name ON Semiconductor
是否无铅 不含铅
厂商名称 ON Semiconductor(安森美)
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3
制造商包装代码 369AR
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 1 week
Samacsys Description ON SEMICONDUCTOR - FQU13N10LTU - MOSFET, N CH, 100V, 10A, TO-251AA-3
雪崩能效等级(Eas) 95 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 10 A
最大漏极电流 (ID) 10 A
最大漏源导通电阻 0.2 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-251
JESD-30 代码 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 40 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
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