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CMPF4416A TR

产品描述JFET N-CH 35V 10MA SOT23
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小394KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMPF4416A TR概述

JFET N-CH 35V 10MA SOT23

CMPF4416A TR规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
电压 - 击穿(V(BR)GSS)35V
漏源电压(Vdss)35V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)5mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)2.5V @ 1nA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)4.5pF @ 15V
功率 - 最大值350mW
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23

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CMPF4416A
SURFACE MOUNT
N-CHANNEL
SILICON JFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPF4416A type
is an epoxy molded N-Channel Silicon Junction Field
Effect Transistor manufactured in an SOT-23 case,
designed for VHF amplifier and mixer applications.
MARKING CODE: 6BG
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Gate Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VDS
VGS
IG
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
35
35
10
350
-65 to +150
357
UNITS
V
V
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
IGSS
VGS=20V
IDSS
VDS=15V, VGS=0
5.0
BVGSS
IG=1.0μA
35
VGS(off)
VDS=15V, ID=1.0nA
2.5
gFS
Ciss
Crss
NF
VDS=15V,
VDS=15V,
VDS=15V,
VGS=0, f=1.0kHz
VGS=0, f=1.0MHz
VGS=0, f=1.0MHz
4.5
MAX
1.0
15
6.0
7.5
4.5
1.2
2.5
UNITS
nA
mA
V
V
mS
pF
pF
dB
VDS=15V, VGS=0, f=1.0kHz, RG=1.0MΩ
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