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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NVMFS5C450NAFT1G
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NVMFS5C450NAFT1G

产品描述MOSFET N-CH 40V 24A 102A 5DFN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小76KB，共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NVMFS5C450NAFT1G在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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NVMFS5C450NAFT1G概述

MOSFET N-CH 40V 24A 102A 5DFN

NVMFS5C450NAFT1G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
制造商包装代码488AA
Reach Compliance Codenot_compliant
Factory Lead Time8 weeks
雪崩能效等级（Eas）215 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)102 A
最大漏极电流 (ID)102 A
最大漏源导通电阻0.0033 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)28 pF
JESD-30 代码R-PDSO-F5
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)68 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)554 A
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

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NVMFS5C450N
Power MOSFET
40 V, 3.3 mW, 102 A, Single N−Channel
Features
•
•
•
•
Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
Low R
DS(on)
to Minimize Conduction Losses
Low Q
G
and Capacitance to Minimize Driver Losses
NVMFS5C450NWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical
Inspection
•
AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
•
These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
MAXIMUM RATINGS
(T
J
= 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Drain−to−Source Voltage
Gate−to−Source Voltage
Continuous Drain
Current R
qJC
(Notes 1, 3)
Power Dissipation
R
qJC
(Note 1)
Continuous Drain
Current R
qJA
(Notes 1, 2, 3)
Power Dissipation
R
qJA
(Notes 1 & 2)
Pulsed Drain Current
T
C
= 25°C
Steady
State
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
A
= 25°C
Steady
State
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C, t
p
= 10
ms
I
DM
T
J
, T
stg
I
S
E
AS
T
L
P
D
I
D
P
D
Symbol
V
DSS
V
GS
I
D
Value
40
±20
102
72
68
34
24
17
3.6
1.8
554
−55 to
+ 175
65
215
260
A
°C
A
mJ
°C
W
A
W
Unit
V
V
A
www.onsemi.com
V
(BR)DSS
40 V
R
DS(ON)
MAX
3.3 mW @ 10 V
I
D
MAX
102 A
D (5,6)
G (4)
S (1,2,3)
N−CHANNEL MOSFET
MARKING
DIAGRAM
D
1
Operating Junction and Storage Temperature
Source Current (Body Diode)
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche
Energy (I
L(pk)
= 7.0 A)
Lead Temperature for Soldering Purposes
(1/8″ from case for 10 s)
DFN5
(SO−8FL)
CASE 488AA
STYLE 1
S
S
S
G
D
XXXXXX
AYWZZ
D
D
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be
assumed, damage may occur and reliability may be affected.
XXXXXX = 5C450N
XXXXXX =
(NVMFS5C450N) or
XXXXXX =
450NWF
XXXXXX =
(NVMFS5C450NWF)
A
= Assembly Location
Y
= Year
W
= Work Week
ZZ
= Lot Traceability
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS
Parameter
Junction−to−Case − Steady State
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)
Symbol
R
qJC
R
qJA
Value
2.2
41
Unit
°C/W
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering, marking and shipping information in the
package dimensions section on page 5 of this data sheet.
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.
2. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm
2
, 2 oz. Cu pad.
3. Maximum current for pulses as long as 1 second is higher but is dependent
on pulse duration and duty cycle.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2015
1
September, 2017 − Rev. 2
Publication Order Number:
NVMFS5C450N/D

NVMFS5C450NAFT1G相似产品对比

NVMFS5C450NAFT1G NVMFS5C450N NVMFS5C450NT1G NVMFS5C450NT3G NVMFS5C450NWFT1G NVMFS5C450NWFT3G NVMFS5C450NAFT3G NVMFS5C450NWFAFT3G NVMFS5C450NWFAFT1G
描述 MOSFET N-CH 40V 24A 102A 5DFN Single N−Channel Power MOSFET Single N−Channel Power MOSFET Single N−Channel Power MOSFET Single N−Channel Power MOSFET Single N−Channel Power MOSFET MOSFET N-CH 40V 24A 102A 5DFN MOSFET N-CH 40V 24A 102A 5DFN MOSFET N-CH 40V 24A 102A 5DFN
Brand Name ON Semiconductor - ON Semiconduc ON Semiconduc ON Semiconduc ON Semiconduc - - ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 - - 不含铅
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) - ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) - - ON Semiconductor(安森美)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 - - SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
制造商包装代码 488AA - 488AA 488AA 488AA 488AA - - 488AA
Reach Compliance Code not_compliant - _compli _compli _compli _compli - - not_compliant
Factory Lead Time 8 weeks - 29 weeks 29 weeks 29 weeks 29 weeks - - 9 weeks
雪崩能效等级（Eas） 215 mJ - 215 mJ 215 mJ 215 mJ 215 mJ - - 215 mJ
外壳连接 DRAIN - DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN - - DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 40 V - 40 V 40 V 40 V 40 V - - 40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 102 A - 102 A 102 A 102 A 102 A - - 102 A
最大漏极电流 (ID) 102 A - 102 A 102 A 102 A 102 A - - 102 A
最大漏源导通电阻 0.0033 Ω - 0.0033 Ω 0.0033 Ω 0.0033 Ω 0.0033 Ω - - 0.0033 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 28 pF - 28 pF 28 pF 28 pF 28 pF - - 28 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-F5 - R-PDSO-F5 R-PDSO-F5 R-PDSO-F5 R-PDSO-F5 - - R-PDSO-F5
JESD-609代码 e3 - e3 e3 e3 e3 - - e3
湿度敏感等级 1 - 1 1 1 1 - - 1
元件数量 1 - 1 1 1 1 - - 1
端子数量 5 - 5 5 5 5 - - 5
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE - - ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C - 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C - - 175 °C
最低工作温度 -55 °C - -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C - - -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - - SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL - - N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 68 W - 68 W 68 W 68 W 68 W - - 68 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 554 A - 554 A 554 A 554 A 554 A - - 554 A
参考标准 AEC-Q101 - AEC-Q101 AEC-Q101 AEC-Q101 AEC-Q101 - - AEC-Q101
表面贴装 YES - YES YES YES YES - - YES
端子面层 Tin (Sn) - Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) - - Tin (Sn)
端子形式 FLAT - FLAT FLAT FLAT FLAT - - FLAT
端子位置 DUAL - DUAL DUAL DUAL DUAL - - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON - - SILICON

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