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TK31V60X,LQ

产品描述MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小242KB,共10页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
下载文档 详细参数 全文预览

TK31V60X,LQ概述

MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

TK31V60X,LQ规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, S-PSSO-N4
Reach Compliance Codeunknown
Factory Lead Time16 weeks
雪崩能效等级(Eas)338 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)30.8 A
最大漏源导通电阻0.098 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-PSSO-N4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)123 A
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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