MOSFET 2N-CH 60V 15.4A LFPAK
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Nexperia |
厂商名称 | Nexperia |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
针数 | 8 |
制造商包装代码 | SOT1205 |
Reach Compliance Code | compliant |
雪崩能效等级(Eas) | 11.6 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (ID) | 15.4 A |
最大漏源导通电阻 | 0.045 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 71 A |
参考标准 | AEC-Q101; IEC-60134 |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
BUK7K52-60EX | 934067954115 | |
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描述 | MOSFET 2N-CH 60V 15.4A LFPAK | MOSFET 2N-CH 60V 15.4A LFPAK |
厂商名称 | Nexperia | Nexperia |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | SOP-8 |
Reach Compliance Code | compliant | not_compliant |
雪崩能效等级(Eas) | 11.6 mJ | 11.6 mJ |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V | 60 V |
最大漏极电流 (ID) | 15.4 A | 15.4 A |
最大漏源导通电阻 | 0.045 Ω | 0.045 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 | R-PDSO-G6 |
元件数量 | 2 | 2 |
端子数量 | 6 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 71 A | 71 A |
参考标准 | AEC-Q101; IEC-60134 | AEC-Q101; IEC-60134 |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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