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BUK7K52-60EX

产品描述MOSFET 2N-CH 60V 15.4A LFPAK
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小733KB,共13页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
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BUK7K52-60EX概述

MOSFET 2N-CH 60V 15.4A LFPAK

BUK7K52-60EX规格参数

参数名称属性值
Brand NameNexperia
厂商名称Nexperia
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数8
制造商包装代码SOT1205
Reach Compliance Codecompliant
雪崩能效等级(Eas)11.6 mJ
外壳连接DRAIN
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)15.4 A
最大漏源导通电阻0.045 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)71 A
参考标准AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

BUK7K52-60EX相似产品对比

BUK7K52-60EX 934067954115
描述 MOSFET 2N-CH 60V 15.4A LFPAK MOSFET 2N-CH 60V 15.4A LFPAK
厂商名称 Nexperia Nexperia
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SOP-8
Reach Compliance Code compliant not_compliant
雪崩能效等级(Eas) 11.6 mJ 11.6 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 15.4 A 15.4 A
最大漏源导通电阻 0.045 Ω 0.045 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
元件数量 2 2
端子数量 6 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 71 A 71 A
参考标准 AEC-Q101; IEC-60134 AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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