Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> CMR1U-06 TR13

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CMR1U-06 TR13: 产品描述DIODE GEN PURP 600V 1A SMB; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小302KB，共3页; 制造商Central Semiconductor; 标准

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CMR1U-06 TR13概述

DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

CMR1U-06 TR13规格参数

参数名称	属性值
二极管类型	标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）	600V
电流 - 平均整流（Io）	1A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf	1.4V @ 1A
速度	快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）	100ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流	5µA @ 600V
安装类型	表面贴装
封装/外壳	DO-214AA，SMB
供应商器件封装	SMB
工作温度 - 结	-65°C ~ 175°C

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CMR1U-01

CMR1U-02

CMR1U-04

CMR1U-06

CMR1U-08

CMR1U-10

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

SURFACE MOUNT SILICON

ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIERS

1.0 AMP, 100 THRU 1000 VOLT

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMR1U-01 series

1 Amp silicon Ultra Fast Recovery rectifier is a highly

reliable component designed for use in all types of

commercial, industrial, entertainment, computer and

automotive applications.

MARKING CODE: SEE MARKING CODE TABLE ON

FOLLOWING PAGE

SMB CASE

FEATURES:

• Special selections available

• High reliability

• Glass passivated chip

• “C” bend construction provides strain relief when

mounted on pc board

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25ºC unless otherwise noted)

Peak Repetitive Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

RMS Reverse Voltage

Average Forward Current (TA=75ºC)

Peak Forward Surge Current, tp=8.3ms

Operating and Storage

Junction Temperature

Thermal Resistance

ELECTRICAL

SYMBOL

trr

SYMBOL

VRRM

VR(RMS)

IFSM

TJ, Tstg

-01

100

-02

200

140

CMR1U

-04

-06

400

600

400

280

1.0

-65 to +175

MAX

5.0

100

1.0

1.25

1.40

1.70

100

600

420

-08

800

560

-10

1000

700

UNITS

ºC

ºC/W

UNITS

µA

CHARACTERISTICS:

(TA=25ºC) unless otherwise noted)

TEST CONDITIONS

VR=Rated VRRM

VR=Rated VRRM, TA=125ºC

IF=1.0A, (CMR1U-01, CMR1U-02)

IF=1.0A, (CMR1U-04)

IF=1.0A, (CMR1U-06)

IF=1.0A, (CMR1U-08, CMR1U-10)

IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A (CMR1U-01, -02, -04)

IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A (CMR1U-06, -08, -10)

R6 (4-September 2018)

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