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H11AA1

产品描述OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP
产品类别光电子/LED   
文件大小130KB,共7页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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H11AA1概述

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

H11AA1规格参数

参数名称属性值
通道数1
电压 - 隔离5300Vrms
电流传输比(最小值)20% @ 10mA
输入类型AC,DC
输出类型有基极的晶体管
电压 - 输出(最大值)30V
电压 - 正向(Vf)(典型值)1.2V
电流 - DC 正向(If)100mA
Vce 饱和值(最大值)400mV
工作温度-55°C ~ 100°C
安装类型通孔
封装/外壳6-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装6-DIP

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AC INPUT/PHOTOTRANSISTOR
OPTOCOUPLERS
H11AA1
DESCRIPTION
The H11AAX series consists of two gallium-arsenide infrared
emitting diodes connected in inverse parallel driving a single
silicon phototransistor output.
H11AA3
H11AA2
H11AA4
6
1
6
SCHEMATIC
FEATURES
Bi-polar emitter input
Built-in reverse polarity input protection
Underwriters Laboratory (UL) recognized
File #E90700
VDE approved
File #E94766 (ordering option ‘300’)
1
1
6 BASE
6
2
5 COLL
APPLICATIONS
• AC line monitor
• Unknown polarity DC sensor
• Telephone line interface
1
3
4 EMITTER
Parameter
TOTAL DEVICE
Storage Temperature
Operating Temperature
Lead Solder Temperature
Total Device Power Dissipation
Derate Linearly From 25°C
EMITTER
Continuous Forward Current
Forward Current - Peak (1 µs pulse, 300 pps)
LED Power Dissipation
Derate Linearly From 25°C
DETECTOR
Detector Power Dissipation
Derate above 25°C
Symbol
T
STG
T
OPR
T
SOL
P
D
I
F
I
F
(pk)
P
D
Device
All
All
All
All
All
All
All
Value
-55 to +150
-55 to +100
260 for 10 sec
350
4.6
100
±1.0
200
2.6
300
4.0
Units
°C
°C
°C
mW
mW/°C
mA
A
mW
mW/°C
mW
mW/°C
P
D
All
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
DS300212
12/12/01
1 OF 7
www.fairchildsemi.com
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