IC BUFFER NON-INVERT 6V 16DIP
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | NXP Semiconductor |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| 针数 | 16 |
| 制造商包装代码 | SOT38-4 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 其他特性 | ONE FUNCTION WITH TWO BITS |
| 控制类型 | ENABLE LOW |
| 系列 | HC/UH |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 21.6 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER |
| 最大I（ol） | 0.006 A |
| 位数 | 6 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 2/6 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 29 ns |
| 传播延迟（tpd） | 29 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.7 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| 74HC367N,652 | 74HCT367N,652 | |
|---|---|---|
| 描述 | IC BUFFER NON-INVERT 6V 16DIP | IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 16DIP |
| Brand Name | NXP Semiconductor | NXP Semiconductor |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 |
| 针数 | 16 | 16 |
| 制造商包装代码 | SOT38-4 | SOT38-4 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| 其他特性 | ONE FUNCTION WITH TWO BITS | ONE FUNCTION WITH TWO BITS |
| 控制类型 | ENABLE LOW | ENABLE LOW |
| 系列 | HC/UH | HCT |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 | R-PDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 |
| 长度 | 21.6 mm | 21.6 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER | BUS DRIVER |
| 最大I（ol） | 0.006 A | 0.006 A |
| 位数 | 6 | 6 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 16 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE | TRUE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 电源 | 2/6 V | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 29 ns | 60 ns |
| 传播延迟（tpd） | 29 ns | 38 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.7 mm | 4.7 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | NICKEL PALLADIUM GOLD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm |
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