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IDC73D120T6MX1SA2

产品描述DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小58KB,共4页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IDC73D120T6MX1SA2概述

DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER

IDC73D120T6MX1SA2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明DIE-1
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time13 weeks
应用FAST SOFT RECOVERY MEDIUM POWER
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)2.05 V
JESD-30 代码R-XUUC-N1
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度175 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压1200 V
最大反向电流26 µA
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

IDC73D120T6MX1SA2相似产品对比

IDC73D120T6MX1SA2 IDC73D120T6M
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, DIE-1
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 DIE-1 DIE-1
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 FAST SOFT RECOVERY MEDIUM POWER FAST SOFT RECOVERY MEDIUM POWER
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 2.05 V 1.37 V
JESD-30 代码 R-XUUC-N1 R-XUUC-N1
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 1 1
最高工作温度 175 °C 175 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 1200 V 1200 V
最大反向电流 26 µA 26 µA
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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