DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
| 参数名称 | 属性值 |
| 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） | 200V |
| 电流 - 平均整流（Io） | 1A |
| 不同 If 时的电压 - 正向（Vf | 1.05V @ 1A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间（trr） | 780ns |
| 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 | 5µA @ 200V |
| 不同 Vr，F 时的电容 | 7.5pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-219AB |
| 供应商器件封装 | DO-219AB（SMF） |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
| SE10FDHM3/H | SE10FDHM3/I | |
|---|---|---|
| 描述 | DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB | DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB |
| 二极管类型 | 标准 | 标准 |
| 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） | 200V | 200V |
| 电流 - 平均整流（Io） | 1A | 1A |
| 不同 If 时的电压 - 正向（Vf | 1.05V @ 1A | 1.05V @ 1A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间（trr） | 780ns | 780ns |
| 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 | 5µA @ 200V | 5µA @ 200V |
| 不同 Vr，F 时的电容 | 7.5pF @ 4V，1MHz | 7.5pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-219AB | DO-219AB |
| 供应商器件封装 | DO-219AB（SMF） | DO-219AB（SMF） |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
