MOSFET N-CH 650V 10A TO220F
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 10A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 1 欧姆 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 33nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1645pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 50W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3F |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| AOTF10N65 | |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 10A TO220F |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 10A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 1 欧姆 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 33nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1645pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 50W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3F |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
