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D2601N90TXPSA1

产品描述DIODE GEN PURP 9KV 3040A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小233KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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D2601N90TXPSA1概述

DIODE GEN PURP 9KV 3040A

D2601N90TXPSA1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time36 weeks
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流50000 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度160 °C
最大输出电流3070 A
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压9000 V
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

D2601N90TXPSA1相似产品对比

D2601N90TXPSA1 D2601N85TXPSA1
描述 DIODE GEN PURP 9KV 3040A DIODE GEN PURP 8.5KV 3040A
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 36 weeks 36 weeks
应用 GENERAL PURPOSE MEDIUM VOLTAGE POWER
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流 50000 A 50000 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 160 °C 160 °C
最大输出电流 3070 A 3040 A
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 9000 V 8500 V
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 END END
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

 
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