DIODE GEN PURP 9KV 3040A
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 36 weeks |
应用 | GENERAL PURPOSE |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码 | O-CEDB-N2 |
最大非重复峰值正向电流 | 50000 A |
元件数量 | 1 |
相数 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 160 °C |
最大输出电流 | 3070 A |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | DISK BUTTON |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
最大重复峰值反向电压 | 9000 V |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | END |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
D2601N90TXPSA1 | D2601N85TXPSA1 | |
---|---|---|
描述 | DIODE GEN PURP 9KV 3040A | DIODE GEN PURP 8.5KV 3040A |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
Factory Lead Time | 36 weeks | 36 weeks |
应用 | GENERAL PURPOSE | MEDIUM VOLTAGE POWER |
配置 | SINGLE | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码 | O-CEDB-N2 | O-CEDB-N2 |
最大非重复峰值正向电流 | 50000 A | 50000 A |
元件数量 | 1 | 1 |
相数 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
最高工作温度 | 160 °C | 160 °C |
最大输出电流 | 3070 A | 3040 A |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | ROUND | ROUND |
封装形式 | DISK BUTTON | DISK BUTTON |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
最大重复峰值反向电压 | 9000 V | 8500 V |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | END | END |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved