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IPW60R055CFD7XKSA1

产品描述HIGH POWER_NEW
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小224KB,共2页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IPW60R055CFD7XKSA1在线购买

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IPW60R055CFD7XKSA1概述

HIGH POWER_NEW

IPW60R055CFD7XKSA1规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)38A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)55 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 900µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)79nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)3194pF @ 400V
功率耗散(最大值)178W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装PG-TO247-3
封装/外壳TO-247-3

IPW60R055CFD7XKSA1相似产品对比

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描述 HIGH POWER_NEW HIGH POWER_NEW HIGH POWER_NEW HIGH POWER_NEW HIGH POWER_NEW HIGH POWER_NEW
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code - compliant compliant compliant compliant compliant
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches - 1 1 1 1 1

 
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