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83CNQ080GASM

产品描述80 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小214KB,共9页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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83CNQ080GASM概述

80 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

83CNQ080GASM规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.67 V
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流5800 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流80 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压80 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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Preliminary Data Sheet PD-20809 09/04
83CNQ...GA
83CNQ...GASM
83CNQ...GASL
SCHOTTKY RECTIFIER
New GenIII D-61 Package
80 Amp
I
F(AV)
= 80Amp
V
R
= 80-100V
Major Ratings and Characteristics
Characteristics
I
F(AV)
Rectangular
waveform
V
RRM
range
I
FSM
@ tp = 5 µs sine
V
F
T
J
@ 40 Apk, T
J
= 125°C
(per leg)
range
Description/ Features
Units
A
V
A
V
The 83CNQ...AG center tap Schottky rectifier module series
has been optimized for low reverse leakage at high tempera-
ture. The proprietary barrier technology allows for reliable
operation up to 175 °C junction temperature. Typical applica-
tions are in switching power supplies, converters, free-wheel-
ing diodes, and reverse battery protection.
175 °C T
J
operation
Center tap module
High purity, high temperature epoxy encapsulation for
enhanced mechanical strength and moisture resistance
Low forward voltage drop
High frequency operation
Guard ring for enhanced ruggedness and long term
reliability
Values
80
80 - 100
5800
0.67
- 55 to 175
°C
New fully transfer-mold low profile, small
footprint, high current package
Case Styles
83CNQ...GA
83CNQ...GASM
83CNQ...GASL
D61-8
D61-8-SM
D61-8-SL
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