MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 21A（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 12 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9.5nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1184pF @ 15V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| DMN3016LDV-13 | DMN3016LDV-7 | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8 | MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8 |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 标准 | 标准 |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 21A（Tc） | 21A（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 12 毫欧 @ 7A，10V | 12 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9.5nC @ 4.5V | 9.5nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1184pF @ 15V | 1184pF @ 15V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 | PowerDI3333-8 |
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