IDT7200L15TPGI8,IDT7200L15TPGI8 pdf中文资料,IDT7200L15TPGI8引脚图,IDT7200L15TPGI8电路-Datasheet-电子工程世界

IDT7200L15TPGI8: 产品描述FIFO, 256X9, 15ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28; 产品类别存储; 文件大小119KB，共14页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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IDT7200L15TPGI8概述

FIFO, 256X9, 15ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
包装说明	DIP-28
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
最长访问时间	15 ns
最大时钟频率 (fCLK)	40 MHz
周期时间	25 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e3
内存密度	2304 bit
内存集成电路类型	OTHER FIFO
内存宽度	9
功能数量	1
端子数量	28
字数	256 words
字数代码	256
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256X9
可输出	NO
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP28,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.005 A
最大压摆率	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
Base Number Matches	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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