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VS-20ETS12STRR-M3

产品描述DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小256KB,共11页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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VS-20ETS12STRR-M3在线购买

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VS-20ETS12STRR-M3概述

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

VS-20ETS12STRR-M3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明D2PAK-3/2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time16 weeks
应用HIGH VOLTAGE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流20 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)245
最大重复峰值反向电压1200 V
最大反向电流100 µA
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

VS-20ETS12STRR-M3相似产品对比

VS-20ETS12STRR-M3 VS-20ETS08STRL-M3
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 D2PAK-3/2 D2PAK-3/2
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 16 weeks 16 weeks
应用 HIGH VOLTAGE HIGH VOLTAGE
外壳连接 CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
最大非重复峰值正向电流 300 A 300 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 20 A 20 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 245 245
最大重复峰值反向电压 1200 V 800 V
最大反向电流 100 µA 100 µA
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
Base Number Matches 1 1
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