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SE20PAB-M3/I

产品描述DIODE GEN PURP 100V 1.6A DO220AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小111KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SE20PAB-M3/I概述

DIODE GEN PURP 100V 1.6A DO220AA

SE20PAB-M3/I规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)100V
电流 - 平均整流(Io)1.6A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.05V @ 2A
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)1.2µs
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 100V
不同 Vr,F 时的电容13pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳DO-220AA
供应商器件封装DO-220AA(SMP)
工作温度 - 结-55°C ~ 175°C

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SE20PB, SE20PD, SE20PG, SE20PJ
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Surface-Mount ESD Capability Rectifiers
FEATURES
eSMP
®
Series
• Very low profile - typical height of 1.0 mm
• Ideal for automated placement
• Oxide planar chip junction
• Low forward voltage drop
• ESD capability
• Meets MSL level 1, per
LF maximum peak of 260 °C
J-STD-020,
Available
SMP
(DO-220AA)
Cathode
Anode
• AEC-Q101 qualified
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
TYPICAL APPLICATIONS
DESIGN SUPPORT TOOLS
Models
Available
click logo to get started
General purpose, power line polarity protection, in both
consumer and automotive applications.
MECHANICAL DATA
Case:
SMP (DO-221AA)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, and
commercial grade
Base P/NHM3 - halogen-free, RoHS-compliant, and
automotive grade
Terminals:
matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HM3 suffix
meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
color band denotes the cathode end
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
at I
F
= 2.0 A (T
A
= 125 °C)
I
R
T
J
max.
Package
Circuit configuration
2.0 A
100 V, 200 V, 400 V, 600 V
32 A
0.85 V
5 μA
175 °C
SMP (DO-220AA)
Single
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Device marking code
Maximum repetitive peak reverse voltage
Average forward current (fig. 1)
Peak forward surge current 10 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Operating junction and storage temperature range
Notes
(1)
Mounted on 5.0 mm x 5.0 mm pad areas, 2 oz. FR4 PCB
(2)
Free air, mounted on recommended copper pad area
V
RRM
I
F(AV) (1)
I
F(AV)
(2)
SYMBOL
SE20PB
20B
100
SE20PD
20D
200
2.0
1.6
32
SE20PG
20G
400
SE20PJ
20J
600
UNIT
V
A
A
°C
I
FSM
T
J
, T
STG
-55 to +175
Revision: 03-Aug-2018
Document Number: 87905
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

SE20PAB-M3/I相似产品对比

SE20PAB-M3/I SE20PABHM3/I SE20PAGHM3/I SE20PAG-M3/I SE20PAJHM3/I
描述 DIODE GEN PURP 100V 1.6A DO220AA DIODE GEN PURP 100V 1.6A DO220AA DIODE GEN PURP 400V 1.6A DO220AA DIODE GEN PURP 400V 1.6A DO220AA DIODE GEN PURP 600V 1.6A DO220AA
二极管类型 标准 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 100V 100V 400V 400V 600V
电流 - 平均整流(Io) 1.6A 1.6A 1.6A 1.6A 1.6A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.05V @ 2A 900mV @ 1A 1.05V @ 2A 1.05V @ 2A 1.05V @ 2A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 1.2µs 1.2µs 1.2µs 1.2µs 1.2µs
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5µA @ 100V 5µA @ 100V 5µA @ 400V 5µA @ 400V 5µA @ 600V
不同 Vr,F 时的电容 13pF @ 4V,1MHz 13pF @ 4V,1MHz 13pF @ 4V,1MHz 13pF @ 4V,1MHz 13pF @ 4V,1MHz
安装类型 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 DO-220AA DO-220AA DO-220AA DO-220AA DO-220AA
供应商器件封装 DO-220AA(SMP) DO-220AA(SMP) DO-220AA(SMP) DO-220AA(SMP) DO-220AA(SMP)
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C
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