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SMA6J26A-M3/61

产品描述TVS DIODE 26V 40.9V DO214AC
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小92KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SMA6J26A-M3/61概述

TVS DIODE 26V 40.9V DO214AC

SMA6J26A-M3/61规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time12 weeks
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压31.9 V
最小击穿电压28.9 V
击穿电压标称值30.4 V
最大钳位电压47.9 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散4 W
最大重复峰值反向电压26 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30

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SMA6J5.0A thru SMA6J28A
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Surface Mount T
RANS
Z
ORB®
Transient Voltage Suppressors
FEATURES
Low profile package
Ideal for automated placement
Available in uni-directional polarity only
Excellent clamping capability
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,
LF maximum peak of 260 °C
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
SMA
(DO-214AC)
TYPICAL APPLICATIONS
Use in sensitive electronics protection against voltage
transients induced by inductive load switching and lighting
on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units for consumer,
computer, industrial, automotive, and telecommunication.
PRIMARY CHARACTERISTICS
V
BR
V
WM
P
PPM
(10 x 1000 μs)
P
PPM
(8 x 20 μs)
P
D
at T
A
= 50 °C
I
FSM
T
J
max.
Polarity
Package
6.4 V to 34.4 V
5.0 V to 28 V
600 W
4000 W
4W
50 A
150 °C
Uni-directional
SMA (DO-214AC)
MECHANICAL DATA
Case:
SMA (DO-214AC)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS-compliant and commercial grade
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Color band denotes cathode end
per
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Peak pulse power dissipation with a 10/1000 μs waveform
(1)(2)
Peak pulse power dissipation with a 8/20 μs waveform
Peak pulse current with a 10/1000 μs waveform
(1)(2)
Peak pulse current with a 8/20 μs waveform
Power dissipation on infinite heatsink, T
A
= 50 °C
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
Operating junction and storage temperature range
Notes
(1)
Non-repetitive current pulse, per fig. 1 and derated above T = 25 °C per fig. 2
A
(2)
Mounted on PCB with 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper pads to each terminal
I
PPM
P
D
I
FSM
T
J
, T
STG
See next table
4.0
50
-55 to +150
A
W
A
°C
SYMBOL
P
PPM
VALUE
600
4000
UNIT
W
Revision: 18-Jun-14
Document Number: 89115
1
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THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
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