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HS3B M6G

产品描述DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小443KB,共7页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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HS3B M6G概述

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

HS3B M6G规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)100V
电流 - 平均整流(Io)3A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1V @ 3A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)50ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流10µA @ 100V
不同 Vr,F 时的电容80pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳DO-214AB,SMC
供应商器件封装DO-214AB(SMC)
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C
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