电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MT47H16M16FG-3:B

产品描述DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, 8 X 14 MM, FBGA-84
产品类别存储   
文件大小9MB,共128页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
下载文档 详细参数 全文预览

MT47H16M16FG-3:B概述

DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, 8 X 14 MM, FBGA-84

MT47H16M16FG-3:B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA84,9X15,32
针数84
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.45 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)333 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B84
JESD-609代码e0
长度14 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量84
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度105 °C
最低工作温度-40 °C
组织16MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA84,9X15,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)235
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大待机电流0.005 A
最大压摆率0.32 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度8 mm
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
256Mb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
Features
DDR2 SDRAM
MT47H64M4 – 16 Meg x 4 x 4 banks
MT47H32M8 – 8 Meg x 8 x 4 banks
MT47H16M16 – 4 Meg x 16 x 4 banks
Features
V
DD
= +1.8V ±0.1V, V
DDQ
= +1.8V ±0.1V
JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)
Differential data strobe (DQS, DQS#) option
4n-bit prefetch architecture
Duplicate output strobe (RDQS) option for x8
DLL to align DQ and DQS transitions with CK
4 internal banks for concurrent operation
Programmable CAS latency (CL)
Posted CAS additive latency (AL)
WRITE latency = READ latency - 1
t
CK
Selectable burst lengths (BL): 4 or 8
Adjustable data-output drive strength
64ms, 8192-cycle refresh
On-die termination (ODT)
Industrial temperature (IT) option
Automotive temperature (AT) option
RoHS-compliant
Supports JEDEC clock jitter specification
Options
1
Configuration
64 Meg x 4 (16 Meg x 4 x 4 banks)
32 Meg x 8 (8 Meg x 8 x 4 banks)
16 Meg x 16 (4 Meg x 16 x 4 banks)
FBGA package (Pb-free)
60-ball FBGA (8mm x 12mm) x4, x8
84-ball FBGA (8mm x 14mm) x16
FBGA package (lead solder)
60-ball FBGA (8mm x 12mm) x4, x8
84-ball FBGA (8mm x 14mm) x16
Timing – cycle time
3.0ns @ CL = 5 (DDR2-667)
3.75ns @ CL = 4 (DDR2-533)
5.0ns @ CL = 3 (DDR2-400)
Self refresh
Standard
Low-power
Operating temperature
Commercial (0°C
T
C
85°C)
Industrial (–40°C
T
C
95°C;
–40°C
T
A
85°C)
Automotive (–40°C
T
C
, T
A
105°C)
Revision
Note:
Marking
64M4
32M8
16M16
BP
BG
FP
FG
-3
-37E
-5E
None
L
None
IT
AT
:B
1. Not all options listed can be combined to
define an offered product. Use the Part
Catalog Search on
www.micron.com
for
product offerings and availability.
Table 1: Key Timing Parameters
Data Rate (MT/s)
Speed Grade
-3
-37E
-5E
CL = 3
400
400
400
CL = 4
533
533
400
CL = 5
667
n/a
n/a
t
RC
(ns)
55
55
55
PDF: 09005aef8117c187
256MbDDR2.pdf - Rev. M 7/09 EN
1
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
©2003
Micron Technology, Inc. All rights reserved.

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 931  1548  10  2193  643  3  25  57  31  58 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved