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CRZ43(TE85L,Q,M)

产品描述X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小290KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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CRZ43(TE85L,Q,M)概述

X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

CRZ43(TE85L,Q,M)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Toshiba(东芝)
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗40 Ω
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大功率耗散0.7 W
标称参考电压43 V
表面贴装YES
最大电压容差10%
工作测试电流7 mA

CRZ43(TE85L,Q,M)相似产品对比

CRZ43(TE85L,Q,M) CRZ11(TE85L,Q,M) CRZ22(TE85L,Q,M) CRZ47(TE85L,Q,M) CRY91(TE85L,Q,M) CRY75(TE85L,Q,M)
描述 X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V DIODE ZENER 9.1V 700MW SFLAT DIODE ZENER 7.5V 700MW SFLAT
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 ZENER DIODE ZENER DIODE ZENER DIODE ZENER DIODE ZENER DIODE ZENER DIODE
最大动态阻抗 40 Ω 30 Ω 30 Ω 65 Ω 30 Ω 30 Ω
元件数量 1 1 1 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大功率耗散 0.7 W 0.7 W 0.7 W 0.7 W 0.7 W 0.7 W
标称参考电压 43 V 11 V 22 V 47 V 9.1 V 7.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
最大电压容差 10% 10% 10% 10% 9.8% 10.6%
工作测试电流 7 mA 10 mA 10 mA 6 mA 10 mA 10 mA
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) -
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