TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-150R12KS4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
V
CES
1200
150
180
300
960
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
t
d on
4,5
typ.
3,20
3,85
5,5
1,60
2,0
10,0
0,63
0,12
0,13
0,05
0,06
0,31
0,36
0,02
0,03
max.
3,75
6,5
5,0
400
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
V
A
A
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
C
= 60°C, T
vj max
= 150°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 150°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj max
= 150
I
C nom
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
I
C
= 150 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 150 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 6,00 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 150 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 5,6
Ω
I
C
= 150 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 5,6
Ω
I
C
= 150 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 5,6
Ω
I
C
= 150 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 5,6
Ω
I
C
= 150 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 30 nH
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 5,6
Ω
I
C
= 150 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 30 nH
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 5,6
Ω
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 900 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
r
t
d off
t
f
E
on
18,0
E
off
I
SC
R
thJC
T
vj op
-40
7,50
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 125°C
900
A
0,13 K/W
125
°C
preparedby:MK
approvedby:RS
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.1
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-150R12KS4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25°C
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
V
F
I
RM
1200
150
300
4300
typ.
2,30
2,00
51,0
75,0
7,00
20,0
2,40
6,00
max.
2,85
V
V
A
A
µC
µC
mJ
mJ
V
A
A
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
I
F
= 150 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 150 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 150 A, - di
F
/dt = 2800 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
I
F
= 150 A, - di
F
/dt = 2800 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
I
F
= 150 A, - di
F
/dt = 2800 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
proDiode/perdiode
Q
r
E
rec
R
thJC
T
vj op
-40
0,32 K/W
125
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
AbweichungvonR100
DeviationofR100
Verlustleistung
Powerdissipation
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C, R
100
= 493
Ω
T
C
= 25°C
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
25
∆R/R
P
25
B
25/50
B
25/80
B
25/100
min.
-5
typ.
5,00
3375
t.b.d.
t.b.d.
max.
5
20,0
kΩ
%
mW
K
K
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:MK
approvedby:RS
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.1
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-150R12KS4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
V
ISOL
CTI
min.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Gewicht
Weight
All Power
T
C
=25°C,proSchalter/perswitch
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
R
thCH
L
sCE
R
CC'+EE'
T
stg
M
G
-40
3,00
2,5
Cu
Al
2
0
3
10,0
7,5
> 225
typ.
0,009
21
2,60
-
300
125
6,00
max.
K/W
nH
mΩ
°C
Nm
g
kV
mm
mm
preparedby:MK
approvedby:RS
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.1
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-150R12KS4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=125°C
300
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
300
270
240
210
180
I
C
[A]
150
120
90
60
30
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
270
240
210
180
I
C
[A]
150
120
90
60
30
0
V
GE
= 8V
V
GE
= 9V
V
GE
= 10V
V
GE
= 12V
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
V
CE
[V]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
V
CE
[V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
300
270
240
210
180
150
120
90
60
30
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=5.6Ω,R
Goff
=5.6Ω,V
CE
=600V
55
50
45
40
35
E [mJ]
30
25
20
15
10
5
0
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
I
C
[A]
5
6
7
8
9
V
GE
[V]
10
11
12
0
30
60
90
120 150 180 210 240 270 300
I
C
[A]
preparedby:MK
approvedby:RS
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.1
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-150R12KS4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Z
thJC
=f(t)
1
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(R
G
),E
off
=f(R
G
)
V
GE
=±15V,I
C
=150A,V
CE
=600V
80
70
60
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
Z
thJC
: IGBT
0,1
50
40
30
0,01
20
10
0
0,001
0,001
i:
1
2
3
4
r
i
[K/W]: 0,0025
0,0075 0,06544 0,05456
τ
i
[s]:
0,0000119 0,00236 0,026
0,065
0
5
10
15
20
25 30
R
G
[Ω]
35
40
45
50
Z
thJC
[K/W]
E [mJ]
0,01
0,1
t [s]
1
10
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=±15V,R
Goff
=5.6Ω,T
vj
=125°C
350
I
C
, Modul
I
C
, Chip
300
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I
F
=f(V
F
)
300
270
240
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
250
210
180
I
F
[A]
150
120
90
60
200
I
C
[A]
150
100
50
30
0
0
0
200
400
600
800
V
CE
[V]
1000
1200
1400
0,0
0,4
0,8
1,2
1,6
V
F
[V]
2,0
2,4
2,8
3,2
preparedby:MK
approvedby:RS
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.1
5
京公网安备 11010802033920号
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