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NGTD14T65F2SWK

产品描述IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小83KB,共3页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NGTD14T65F2SWK概述

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

NGTD14T65F2SWK规格参数

参数名称属性值
IGBT 类型沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)650V
脉冲电流 - 集电极 (Icm)120A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)2V @ 15V,35A
输入类型标准
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳模具
供应商器件封装模具

NGTD14T65F2SWK相似产品对比

NGTD14T65F2SWK NGTD14T65F2WP
描述 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
IGBT 类型 沟槽型场截止 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650V 650V
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 120A 120A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2V @ 15V,35A 2V @ 15V,35A
输入类型 标准 标准
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 模具 模具
供应商器件封装 模具 模具

 
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