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MMDF2C03HD

产品描述TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,30V V(BR)DSS,3A I(D),SO
产品类别晶体管   
文件大小181KB,共3页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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MMDF2C03HD概述

TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,30V V(BR)DSS,3A I(D),SO

MMDF2C03HD规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)324 mJ
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3 A
最大漏极电流 (ID)2 A
最大漏源导通电阻0.09 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)21 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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