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MMG05N60DT1

产品描述0.5A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-261, TO-261A, 4 PIN
产品类别晶体管   
文件大小190KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MMG05N60DT1概述

0.5A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-261, TO-261A, 4 PIN

MMG05N60DT1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TO-261
包装说明TO-261A, 4 PIN
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH SPEED SWITCHING
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值6 V
门极-发射极最大电压15 V
JEDEC-95代码TO-261
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)301 ns
Base Number Matches1

MMG05N60DT1相似产品对比

MMG05N60DT1
描述 0.5A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-261, TO-261A, 4 PIN
是否Rohs认证 不符合
厂商名称 ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 TO-261
包装说明 TO-261A, 4 PIN
针数 4
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
Is Samacsys N
其他特性 HIGH SPEED SWITCHING
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.5 A
集电极-发射极最大电压 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值 6 V
门极-发射极最大电压 15 V
JEDEC-95代码 TO-261
JESD-30 代码 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 4
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 301 ns
Base Number Matches 1
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