128 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
128 × 16 总线串行电可擦除只读存储器, PDSO8
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Microchip(微芯科技) |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP, SOP8,.3 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | 100K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS |
备用内存宽度 | 8 |
最大时钟频率 (fCLK) | 2 MHz |
数据保留时间-最小值 | 200 |
耐久性 | 10000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
长度 | 5.28 mm |
内存密度 | 2048 bi |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 128 words |
字数代码 | 128 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 128X16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | SERIAL |
电源 | 2/5 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | TS 16949 |
座面最大高度 | 2.03 mm |
串行总线类型 | MICROWIRE |
最大待机电流 | 0.00003 A |
最大压摆率 | 0.001 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 5.21 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
写保护 | SOFTWARE |
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