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NVATS5A113PLZT4G

产品描述MOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小827KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NVATS5A113PLZT4G在线购买

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NVATS5A113PLZT4G概述

MOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK

NVATS5A113PLZT4G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明ATPAK-3/2
制造商包装代码369AM
Reach Compliance Codenot_compliant
Factory Lead Time5 weeks
雪崩能效等级(Eas)95 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)38 A
最大漏源导通电阻0.0295 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)114 A
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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NVATS5A113PLZ
Power MOSFET
60
V, 29.5 mΩ,
38
A, P-Channel
Automotive Power MOSFET designed for compact and efficient designs and
including high thermal performance.
AEC-Q101 qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive
applications.
Features
Low On-Resistance
High Current Capability
100% Avalanche Tested
AEC-Q101 qualified and PPAP capable
ATPAK
package is pin-compatible with DPAK (TO-252)
Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliance
Typical Applications
Reverse Battery Protection
Load Switch
Automotive Front Lighting
Automotive Body Controllers
SPECIFICATIONS
ABSOLUTE MAXIMUM RATING
at Ta = 25C
(Note 1)
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (Pulse)
PW
10
s,
duty cycle
1%
Power Dissipation
Tc = 25C
Operating Junction and
Storage Temperature
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
Tj, Tstg
Value
60
20
38
114
60
55
to +175
Unit
V
V
A
A
W
C
VDSS
60
V
www.onsemi.com
RDS(on) Max
29.5 mΩ @
10
V
38 mΩ @
4.5
V
44 mΩ @
4
V
ID Max
38
A
ELECTRICAL CONNECTION
P-Channel
2, 4
1
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
3
4
1 2
3
ATPAK
MARKING
Avalanche Energy (Single Pulse) (Note 2)
EAS
95
mJ
Avalanche Current (Note 3)
IAV
18
A
Note 1 : Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage
the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not
be assumed, damage may occur and reliability may be affected.
2 : VDD =
10
V, L = 500
H,
IAV =
18
A
3 : L
500
H,
Single pulse
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction to Case Steady State (Tc = 25C)
Junction to Ambient (Note 4)
Symbol
R
JC
R
JA
2
ORDERING INFORMATION
Value
2.5
80.1
Unit
C/W
C/W
See detailed ordering and shipping
information on page 6 of this data sheet.
Note 4 : Surface mounted on FR4 board using a 130 mm , 1 oz. Cu pad.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016
June 2016 - Rev. 0
1
Publication Order Number :
NVATS5A113PLZ/D
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