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JANTXV2N3767

产品描述TRANS NPN 80V 4A TO-66
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小204KB,共3页
制造商M/A-COM Tech(MACOM)
官网地址http://www.macom.com
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JANTXV2N3767概述

TRANS NPN 80V 4A TO-66

JANTXV2N3767规格参数

参数名称属性值
晶体管类型NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值)4A
电压 - 集射极击穿(最大值)80V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)2.5V @ 100mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值)500µA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)40 @ 500mA,5V
功率 - 最大值25W
工作温度-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-213AA,TO-66-2
供应商器件封装TO-66
通知QPL 或军用规范仅供参考。非军用零件。参见条款和条件。

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NPN Power Silicon Transistor
2N3766 & 2N3767
Features
Available in JAN, JANTX, and JANTXV
per MIL-PRF-19500/518
TO-66 (TO-213AA) Package
Maximum Ratings
Ratings
Collector - Emitter Voltage
Collector - Base Voltage
Emitter - Base Voltage
Base Current
Collector Current
Total Power Dissipation @ TC = +25 °C (1)
Operating & Storage Temperature Range
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IB
IC
PT
Top, Tstg
2N3766
60
80
6.0
2.0
4.0
25
-65 to +200
2N3767
80
100
Units
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
W
°C
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Symbol
R
θJC
Maximum
2.66
Units
°C/W
1) Derate linearly 143 mW/°C between TC = +25°C and TC = +200°C
Electrical Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted)
OFF Characteristics
Collector - Emitter Breakdown Voltage
IC = 100 mAdc
2N3766
2N3767
Collector - Emitter Cutoff Current
VCE = 60 Vdc
VCE = 80 Vdc
Collector - Emitter Cutoff Current
VCE = 80 Vdc, VBE = 1.5 Vdc
VCE = 100 Vdc, VBE = 1.5 Vdc
Collector - Base Cutoff Current
VCB = 80 Vdc
VCB = 100 Vdc
Emitter - Base Cutoff Current
VEB = 6.0 Vdc
2N3766
2N3767
2N3766
2N3767
2N3766
2N3767
Symbol
V(BR)CEO
Mimimum
60
80
---
Maximum
---
Units
Vdc
ICEO
500
500
10
μAdc
ICEX
---
μAdc
ICBO
---
10
10
500
μAdc
IEBO
---
μAdc
Revision Date: 4/3/2013
New Product
1

 
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