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MRF275G

产品描述FET RF 2CH 65V 500MHZ 375-04
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共20页
制造商M/A-COM Tech(MACOM)
官网地址http://www.macom.com
标准
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MRF275G概述

FET RF 2CH 65V 500MHZ 375-04

MRF275G规格参数

参数名称属性值
晶体管类型2 N 沟道(双)共源
频率500MHz
增益11.2dB
电压 - 测试28V
额定电流26A
电流 - 测试100mA
功率 - 输出150W
电压 - 额定65V
封装/外壳375-04
供应商器件封装375-04,2 型

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MRF275G
The RF MOSFET Line
150W, 500MHz, 28V
Designed primarily for wideband large–signal output and
driver stages from 100 – 500 MHz.
N-Channel enhancement mode
Rev. V1
Product Image
Guaranteed performance @ 500 MHz, 28 Vdc
Output power — 150 W
Power gain — 10 dB (min.)
Efficiency — 50% (min.)
100% tested for load mismatch at all phase angles
with VSWR 30:1
Overall lower capacitance @ 28 V
Ciss — 135 pF
Coss — 140 pF
Crss — 17 pF
Simplified AVC, ALC and modulation
CASE 375–04, STYLE 2
Typical data for power amplifiers in industrial and
commercial applications:
Typical performance @ 400 MHz, 28 Vdc
Output power — 150 W
Power gain — 12.5 dB
Efficiency — 60%
Typical performance @ 225 MHz, 28 Vdc
Output power — 200 W
Power gain — 15 dB
Efficiency — 65%
1
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