电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MT47H128M8B7-5E L:A

产品描述IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
产品类别存储   
文件大小8MB,共137页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

MT47H128M8B7-5E L:A概述

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

MT47H128M8B7-5E L:A规格参数

参数名称属性值
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR2
存储容量1Gb (128M x 8)
时钟频率200MHz
写周期时间 - 字,页15ns
访问时间600ps
存储器接口并联
电压 - 电源1.7 V ~ 1.9 V
工作温度0°C ~ 85°C(TC)
安装类型表面贴装
封装/外壳92-VFBGA
供应商器件封装92-FBGA(11x19)

文档预览

下载PDF文档
1Gb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
Features
DDR2 SDRAM
MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks
MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks
MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks
For the latest data sheet, refer to Micron’s Web site:
http://www.micron.com/ddr2
Features
RoHS compliant
V
DD
= +1.8V ±0.1V, V
DD
Q = +1.8V ±0.1V
JEDEC standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)
Differential data strobe (DQS, DQS#) option
4-bit prefetch architecture
Duplicate output strobe (RDQS) option for x8
DLL to align DQ and DQS transitions with CK
8 internal banks for concurrent operation
Programmable CAS latency (CL)
Posted CAS additive latency (AL)
WRITE latency = READ latency – 1
t
CK
Programmable burst lengths: 4 or 8
Adjustable data-output drive strength
64ms, 8,192-cycle refresh
On-die termination (ODT)
Industrial temperature (IT) option
Supports JEDEC clock jitter specification
Options
• Configuration
256 Meg x 4 (32 Meg x 4 x 8 banks )
128 Meg x 8 (16 Meg x 8 x 8 banks)
64 Meg x 16 (8 Meg x 16 x 8 banks)
• FBGA package (lead-free)
92-ball FBGA (11mm x 19mm) (:A)
84-ball FBGA (10mm x 16.5mm) (:D)
68-ball FBGA (10mm x 16.5mm) (:D)
• Timing – cycle time
5.0ns @ CL = 3 (DDR2-400)
3.75ns @ CL = 4 (DDR2-533)
3.0ns @ CL = 5 (DDR2-667)
3.0ns @ CL = 4 (DDR2-667)
2.5ns @ CL = 6 (DDR2-800)
2.5ns @ CL = 5 (DDR2-800)
• Self refresh
Standard
Low-power
• Operating temperature
Commercial (0°C
T
C
85°C)
Industrial (–40°C
T
C
95°C; –40°C
T
A
85°C)
• Revision
Marking
256M4
128M8
64M16
BT
B7
B7
-5E
-37E
-3
-3E
-25
-25E
None
L
None
IT
:A/:D
Table 1:
Architecture
Configuration Addressing
256 Meg x 4 128 Meg x 8 64 Meg x 16
8 Meg x 16
x 8 banks
8K
8K (A0–A12)
8 (BA0–BA2)
1K (A0–A9)
Table 2:
Key Timing Parameters
RC
(ns)
55
55
55
54
55
55
t
32 Meg x 4
16 Meg x 4
x 8 banks
x 8 banks
8K
8K
Refresh Count
16K (A0–A13) 16K (A0–A13)
Row Addr.
8 (BA0–BA2) 8 (BA0–BA2)
Bank Addr.
Column Addr. 2K (A0–A9, A11) 1K (A0–A9)
Configuration
Data Rate (MHz)
t
Speed
RCD
t
RP
Grade CL = 3 CL = 4 CL = 5 CL = 6 (ns) (ns)
-5E
-37E
-3
-3E
-25
-25E
400
400
400
N/A
N/A
N/A
400
533
533
667
N/A
533
N/A
N/A
667
667
667
800
N/A
N/A
N/A
N/A
800
N/A
15
15
15
12
15
12.5
15
15
15
12
15
12.5
Note: CL = CAS latency.
PDF: 09005aef821ae8bf/Source: 09005aef821aed36
1GbbDDR2_1.fm - Rev. K 4/06 EN
1
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
©2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
tffs问题.
在shell中,调用tffsshow报告说"通信失败". 问题出在调用i28f128Identify函数卡在flmap上. 什么原因啊?...
huadk 嵌入式系统
轨压传感器芯片厂家
各位大神: 谁知道能做高压共轨传感器芯片(量程200MPa)的厂家有哪些?国内国外公司都可以 ...
fpc813 传感器
EEWORLD大学堂----Avnet Xilinx 直播回放
Avnet Xilinx 直播回放:https://training.eeworld.com.cn/course/4499 本研讨会邀请到赛灵思和安富利的市场和技术专家给大家详细讲述“全可编程FPGA”在上述新兴市场的解决方案和成功案例,帮 ......
hi5 综合技术交流
2018慕尼黑上海光博会即将开启,提供电子行业智能解决方案!
如今,移动互联网时代早已颠覆了人们的生活、工作和思维模式。随着消费电子行业的迅猛发展,智能手机俨然成为了人们生活中不可缺失的元素之一,更甚有人将其称为现代人的"体外器官"。 手机市场 ......
EEWORLD社区 工业自动化与控制
C8051 FO20 SPI口怎么配置
C8051 FO20 SPI口怎么配置 最好有源代码 ...
ganggl 嵌入式系统
湖北孝感国企上市公司诚招产品/工艺/IE/自动化/测试工程师
单位名称:孝感华工高理电子有限公司 地址:湖北省孝感市孝汉大道特1号 企业简介:华工高理是具高校背景的高科技上市公司华工科技产业股份有限公司(股票代码:000988)的核心子公司,创立于1 ......
孝感人家 求职招聘

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 332  150  2264  1398  569  35  16  11  52  36 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved