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CA3130AE

产品描述IC OPAMP GP 15MHZ 8DIP
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小1MB,共17页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
相似器件已查找到8个与CA3130AE功能相似器件
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CA3130AE概述

IC OPAMP GP 15MHZ 8DIP

CA3130AE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码DIP
包装说明PLASTIC, MO-001-BA, DIP-8
针数8
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Samacsys Descriptionoperational amplifiers
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.00003 µA
标称共模抑制比90 dB
频率补偿NO
最大输入失调电压5000 µV
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e0
长度9.585 mm
低-偏置YES
低-失调NO
负供电电压上限-8 V
标称负供电电压 (Vsup)-7.5 V
功能数量1
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源+-2.5/+-8/5/16 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.33 mm
标称压摆率30 V/us
最大压摆率15 mA
供电电压上限8 V
标称供电电压 (Vsup)7.5 V
表面贴装NO
技术BIMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽15000 kHz
最小电压增益50000
宽度7.62 mm

CA3130AE相似产品对比

CA3130AE CA3130EZ CA3130MZ CA3130AMZ96 CA3130E CA3130MZ96 CA3130AMZ
描述 IC OPAMP GP 15MHZ 8DIP IC OPAMP GP 15MHZ 8DIP IC OPAMP GP 15MHZ 8SOIC IC OPAMP GP 15MHZ 8SOIC IC OPAMP GP 15MHZ 8DIP OP-AMP, 15000uV OFFSET-MAX, 15MHz BAND WIDTH, PDSO8, LEAD FREE, PLASTIC, MS-012-AA, SOIC-8 OP-AMP, 5000uV OFFSET-MAX, 15MHz BAND WIDTH, PDSO8, LEAD FREE, PLASTIC, MS-012-AA, SOIC-8
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 符合 不符合 符合 符合
零件包装代码 DIP DIP SOIC SOIC DIP SOIC SOIC
包装说明 PLASTIC, MO-001-BA, DIP-8 DIP, DIP8,.3 SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25 PLASTIC, MO-001-BA, DIP-8 SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25
针数 8 8 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code not_compliant compliant compliant compliant not_compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.00003 µA 0.00005 µA 0.00005 µA 0.00003 µA 0.00005 µA 0.00005 µA 0.00003 µA
标称共模抑制比 90 dB 90 dB 90 dB 90 dB 90 dB 90 dB 90 dB
频率补偿 NO NO NO NO NO NO NO
最大输入失调电压 5000 µV 15000 µV 15000 µV 5000 µV 15000 µV 15000 µV 5000 µV
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0 e3 e3 e3 e0 e3 e3
长度 9.585 mm 9.585 mm 4.9 mm 4.9 mm 9.585 mm 4.9 mm 4.9 mm
低-偏置 YES YES YES YES YES YES YES
低-失调 NO NO NO NO NO NO NO
负供电电压上限 -8 V -8 V -8 V -8 V -8 V -8 V -8 V
标称负供电电压 (Vsup) -7.5 V -7.5 V -7.5 V -7.5 V -7.5 V -7.5 V -7.5 V
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8 8 8
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP SOP SOP DIP SOP SOP
封装等效代码 DIP8,.3 DIP8,.3 SOP8,.25 SOP8,.25 DIP8,.3 SOP8,.25 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT APPLICABLE 260 260 NOT SPECIFIED 260 260
电源 +-2.5/+-8/5/16 V +-2.5/+-8/5/16 V +-2.5/+-8/5/16 V +-2.5/+-8/5/16 V +-2.5/+-8/5/16 V +-2.5/+-8/5/16 V +-2.5/+-8/5/16 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.33 mm 5.33 mm 1.75 mm 1.75 mm 5.33 mm 1.75 mm 1.75 mm
标称压摆率 30 V/us 30 V/us 30 V/us 30 V/us 30 V/us 30 V/us 30 V/us
最大压摆率 15 mA 15 mA 15 mA 15 mA 15 mA 15 mA 15 mA
供电电压上限 8 V 8 V 8 V 8 V 8 V 8 V 8 V
标称供电电压 (Vsup) 7.5 V 7.5 V 7.5 V 7.5 V 7.5 V 7.5 V 7.5 V
表面贴装 NO NO YES YES NO YES YES
技术 BIMOS BIMOS BIMOS BIMOS BIMOS BIMOS BIMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT APPLICABLE 30 30 NOT SPECIFIED 30 30
标称均一增益带宽 15000 kHz 15000 kHz 15000 kHz 15000 kHz 15000 kHz 15000 kHz 15000 kHz
最小电压增益 50000 50000 50000 50000 50000 50000 50000
宽度 7.62 mm 7.62 mm 3.9 mm 3.9 mm 7.62 mm 3.9 mm 3.9 mm
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) - Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) - Renesas(瑞萨电子)
Samacsys Description operational amplifiers Single op-amp, 15MHz CA3130EZ - - Operational Amplifier with MOSFET Input/Bipolar Output - BiMOS Operational Amplifier with MOSFET Input/CMOS Output
是否无铅 - 不含铅 不含铅 不含铅 - 不含铅 不含铅
Factory Lead Time - 11 weeks - 12 weeks 1 week - 12 weeks
湿度敏感等级 - - 3 3 - 3 3

与CA3130AE功能相似器件

器件名 厂商 描述
CA3130EZ Renesas(瑞萨电子) IC OPAMP GP 15MHZ 8DIP
LF357BN National Semiconductor(TI ) OP-AMP, 2500 uV OFFSET-MAX, 2.5 MHz BAND WIDTH, MBCY8
JM38510/11403BPB Precision Monolithics Inc Operational Amplifier, 1 Func, 7000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, HERMETIC SEALED, DIP-8
M38510/11406BPX Precision Monolithics Inc Operational Amplifier, 1 Func, 2500uV Offset-Max, CDIP8, CERAMIC, DIP-8
M38510/11403BPA Precision Monolithics Inc Operational Amplifier, 1 Func, 7000uV Offset-Max, CDIP8, CERAMIC, DIP-8
LF157D/883B Raytheon Company Operational Amplifier, 1 Func, 7000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, CERAMIC, DIP-8
JM38510/11403BPA Precision Monolithics Inc Operational Amplifier, 1 Func, 7000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, HERMETIC SEALED, DIP-8
M38510/11406BPB Precision Monolithics Inc Operational Amplifier, 1 Func, 2500uV Offset-Max, CDIP8, CERAMIC, DIP-8

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