HUFA75339G3,HUFA75339G3 pdf中文资料,HUFA75339G3引脚图,HUFA75339G3电路-Datasheet-电子工程世界

HUFA75339G3: 产品描述MOSFET N-CH 55V 75A TO-247; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小224KB，共10页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn; 标准

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HUFA75339G3概述

MOSFET N-CH 55V 75A TO-247

	HUFA75339G3	HUFA75339P3	HUFA75339S3S	HUFA75339S3ST
描述	MOSFET N-CH 55V 75A TO-247	MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
FET 类型	N 沟道	N 沟道	N 沟道	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）	MOSFET（金属氧化物）	MOSFET（金属氧化物）	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	55V	55V	55V	55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	75A（Tc）	75A（Tc）	75A（Tc）	75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V	10V	10V	10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	12 毫欧 @ 75A，10V	12 毫欧 @ 75A，10V	12 毫欧 @ 75A，10V	12 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	130nC @ 20V	130nC @ 20V	130nC @ 20V	130nC @ 20V
Vgs（最大值）	±20V	±20V	±20V	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2000pF @ 25V	2000pF @ 25V	2000pF @ 25V	2000pF @ 25V
功率耗散（最大值）	200W（Tc）	200W（Tc）	200W（Tc）	200W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔	通孔	表面贴装	表面贴装
供应商器件封装	TO-247-3	TO-220AB	D²PAK（TO-263AB）	D²PAK（TO-263AB）
封装/外壳	TO-247-3	TO-220-3	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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