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FQP6N90

产品描述MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小729KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FQP6N90概述

MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220

FQP6N90规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)900V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)5.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)1.9 欧姆 @ 2.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)52nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1880pF @ 25V
功率耗散(最大值)167W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220-3
封装/外壳TO-220-3
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