MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
参数名称 | 属性值 |
FET 类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 400V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 10A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 540 毫欧 @ 5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 53nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1800pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 3.13W(Ta),134W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | I2PAK |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
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