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ISL9R460P2

产品描述DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小101KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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ISL9R460P2概述

DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC

ISL9R460P2规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)600V
电流 - 平均整流(Io)4A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf2.4V @ 4A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)22ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流100µA @ 600V
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-2
供应商器件封装TO-220AC
工作温度 - 结-55°C ~ 175°C

ISL9R460P2相似产品对比

ISL9R460P2 ISL9R460S3ST
描述 DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC DIODE GEN PURP 600V 4A TO263AB
二极管类型 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 600V 600V
电流 - 平均整流(Io) 4A 4A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 2.4V @ 4A 2.4V @ 4A
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 22ns 22ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 100µA @ 600V 100µA @ 600V
安装类型 通孔 表面贴装
封装/外壳 TO-220-2 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装 TO-220AC TO-263AB
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C

 
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