MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 1.4 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 24nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 625pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 38W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| FQPF5N50CT | FQPF5N50C | FQPF5N50CTTU | |
|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F | MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F | MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F |
| FET 类型 | N 沟道 | - | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | - | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | - | 500V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 5A（Tc） | - | 5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | - | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 1.4 欧姆 @ 2.5A，10V | - | 1.4 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 24nC @ 10V | - | 24nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | - | ±30V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 625pF @ 25V | - | 625pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 38W（Tc） | - | 38W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | - | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | - | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220F | - | TO-220F |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 | - | TO-220-3 整包 |
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