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FJPF5021R

产品描述TRANS NPN 500V 5A TO-220F
产品类别半导体    分立半导体   
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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FJPF5021R概述

TRANS NPN 500V 5A TO-220F

FJPF5021R规格参数

参数名称属性值
晶体管类型NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值)5A
电压 - 集射极击穿(最大值)500V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)1V @ 600mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值)10µA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)15 @ 600mA,5V
功率 - 最大值40W
频率 - 跃迁15MHz
工作温度150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3 整包
供应商器件封装TO-220F

FJPF5021R相似产品对比

FJPF5021R FJPF5021OTU FJPF5021YTU FJPF5021O FJPF5021RTSTU FJPF5021RTU
描述 TRANS NPN 500V 5A TO-220F TRANS NPN 500V 5A TO-220F TRANS NPN 500V 5A TO-220F TRANS NPN 500V 5A TO-220F TRANS NPN 500V 5A TO-220F TRANS NPN 500V 5A TO-220F
晶体管类型 NPN - NPN - NPN NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 5A - 5A - 5A 5A
电压 - 集射极击穿(最大值) 500V - 500V - 500V 500V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 1V @ 600mA,3A - 1V @ 600mA,3A - 1V @ 600mA,3A 1V @ 600mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值) 10µA(ICBO) - 10µA(ICBO) - 10µA(ICBO) 10µA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 15 @ 600mA,5V - 30 @ 600mA,5V - 15 @ 600mA,5V 15 @ 600mA,5V
功率 - 最大值 40W - 40W - 40W 40W
频率 - 跃迁 15MHz - 15MHz - 15MHz 15MHz
工作温度 150°C(TJ) - 150°C(TJ) - 150°C(TJ) 150°C(TJ)
安装类型 通孔 - 通孔 - 通孔 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包 - TO-220-3 整包 - TO-220-3 整包 TO-220-3 整包
供应商器件封装 TO-220F - TO-220F - TO-220F TO-220F

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