MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 7.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 400 毫欧 @ 3.75A，5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 27nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 755pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），48W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| IRLR230ATM | IRLR230ATF | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK | MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK |
| FET 类型 | N 沟道 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 200V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 7.5A（Tc） | 7.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V | 5V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 400 毫欧 @ 3.75A，5V | 400 毫欧 @ 3.75A，5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 27nC @ 5V | 27nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 755pF @ 25V | 755pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），48W（Tc） | 2.5W（Ta），48W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | D-Pak | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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