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FQU3N40TU

产品描述MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小668KB,共9页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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FQU3N40TU概述

MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

FQU3N40TU规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)400V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)3.4 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)7.5nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)230pF @ 25V
功率耗散(最大值)2.5W(Ta),30W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装I-PAK
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

 
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