MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 150 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 23nC @ 20V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 300pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 53W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | TO-252AA |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| RFD3055SM | RFD3055 | RFD3055SM9A | RFP3055 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | MOSFET N-CH 60V 12A IPAK | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | MOSFET N-CH 60V 12A TO-220AB |
| FET 类型 | N 沟道 | N 沟道 | N 沟道 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | MOSFET（金属氧化物） | MOSFET（金属氧化物） | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 60V | 60V | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 12A（Tc） | 12A（Tc） | 12A（Tc） | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 150 毫欧 @ 12A，10V | 150 毫欧 @ 12A，10V | 150 毫欧 @ 12A，10V | 150 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 23nC @ 20V | 23nC @ 20V | 23nC @ 20V | 23nC @ 20V |
| Vgs（最大值） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 300pF @ 25V | 300pF @ 25V | 300pF @ 25V | 300pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 53W（Tc） | 53W（Tc） | 53W（Tc） | 53W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | -55°C ~ 175°C（TJ） | -55°C ~ 175°C（TJ） | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 | 通孔 | 表面贴装 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-252AA | TO-251AA | TO-252AA | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | TO-220-3 |
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FPGA/CPLD
微控制器 MCU
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