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MJD29CTF

产品描述TRANS NPN 100V 1A DPAK
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小44KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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MJD29CTF在线购买

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MJD29CTF概述

TRANS NPN 100V 1A DPAK

MJD29CTF规格参数

参数名称属性值
晶体管类型NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值)1A
电压 - 集射极击穿(最大值)100V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)700mV @ 125mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值)50µA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)15 @ 1A,4V
功率 - 最大值1.56W
频率 - 跃迁3MHz
工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装D-Pak

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MJD29/29C
MJD29/29C
General Purpose Amplifier
Low Speed Switching Applications
• Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix)
• Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix)
• Electrically Similar to Popular TIP29 and TIP29C
1
D-PAK
1.Base
1
I-PAK
3.Emitter
2.Collector
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
: MJD29
: MJD29C
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
: MJD29
: MJD29C
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (Pulse)
Base Current
Collector Dissipation (T
C
=25°C)
Collector Dissipation (T
a
=25°C)
T
J
T
STG
Junction Temperature
Storage Temperature
40
100
40
100
5
1
3
0.4
15
1.56
150
- 65 ~ 150
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
Parameter
Value
Units
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
Electrical Characteristics
T
C
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CEO
(sus)
Parameter
*Collector-Emitter Sustaining Voltage
: MJD29
: MJD29C
Collector Cut-off Current
: MJD29
: MJD29C
I
CES
Collector Cut-off Current
: MJD29
: MJD29C
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
Emitter Cut-off Current
*DC Current Gain
*Collector-Emitter Saturation Voltage
*Base-Emitter ON Voltage
Current Gain Bandwidth Product
V
CE
= 40V, V
BE
= 0
V
CE
= 100V, V
BE
= 0
V
BE
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 4V, I
C
= 0.2A
V
CE
= 4V, I
C
= 1A
I
C
= 1A, I
B
= 125mA
V
CE
= 4A, I
C
= 1A
V
CE
= 10V, I
C
= 200mA
3
40
15
20
20
1
75
0.7
1.3
V
V
MHz
µA
µA
mA
V
CE
= 40V, I
B
= 0
V
CE
= 60V, I
B
= 0
50
50
µA
µA
Test Condition
I
C
= 30mA, I
B
= 0
Min.
40
100
Max.
Units
V
V
I
CEO
* Pulse Test: PW
300µs, Duty Cycle
2%
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001

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