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TN6718A

产品描述TRANS NPN 100V 1.2A TO-226
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小21KB,共3页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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TN6718A概述

TRANS NPN 100V 1.2A TO-226

TN6718A规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
Base Number Matches1

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TN6718A
TN6718A
CB
E
TO-226
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents
to 1.0A. Sourced from Process 39. See TN6717A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J,
T
stg
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
T
A = 25°C unless otherwise noted
Value
100
100
5
1.2
-55 to +150
Units
V
V
V
A
°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
T
A = 25°C unless otherwise noted
Max
Characteristic
TN6718A
P
D
R
θJC
R
θJA
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
1
8
50
125
W
mW/°C
°C/W
°C/W
Units
©
1997 Fairchild Semiconductor
tn6718a.lwp Rev A

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TN6718A
描述 TRANS NPN 100V 1.2A TO-226
Reach Compliance Code compliant
Base Number Matches 1

 
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