电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

FA1L3N-T1B-AT

产品描述FA1L3N-T1B-AT
产品类别晶体管   
文件大小280KB,共6页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准  
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

FA1L3N-T1B-AT概述

FA1L3N-T1B-AT

FA1L3N-T1B-AT规格参数

参数名称属性值
Brand NameRenesas
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)35
元件数量1
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

FA1L3N-T1B-AT相似产品对比

FA1L3N-T1B-AT FA1L3N-T2B-A FA1L3N-T1B-A
描述 FA1L3N-T1B-AT FA1L3N-T2B-A FA1L3N-T1B-A
Brand Name Renesas Renesas Renesas
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 35 35 35
元件数量 1 1 1
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.2 W 0.2 W
表面贴装 YES YES YES
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1
Is Samacsys N - N

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 425  535  633  811  1380 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved