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DMT3006LFV-13

产品描述MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小398KB,共7页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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DMT3006LFV-13在线购买

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DMT3006LFV-13概述

MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

DMT3006LFV-13规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)7 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)8.4nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1155pF @ 15V
功率耗散(最大值)2W(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装PowerDI3333-8
封装/外壳8-PowerVDFN

DMT3006LFV-13相似产品对比

DMT3006LFV-13 DMT3006LFV-7
描述 MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 8.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道 N沟道
漏源电压(Vdss) 30V 30V
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