MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
参数名称 | 属性值 |
FET 类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 60A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 7 毫欧 @ 9A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8.4nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1155pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 2W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMT3006LFV-13 | DMT3006LFV-7 | |
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描述 | MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 8.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道 N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 30V | 30V |
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