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CMLT5087EM TR

产品描述TRANS 2PNP 50V 0.1A SOT-563
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小672KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMLT5087EM TR概述

TRANS 2PNP 50V 0.1A SOT-563

CMLT5087EM TR规格参数

参数名称属性值
晶体管类型2 PNP(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)400mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)50nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)300 @ 100µA,5V
功率 - 最大值350mW
频率 - 跃迁100MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商器件封装SOT-563

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CMLT5087EM
SURFACE MOUNT SILICON
DUAL, MATCHED
PNP TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT5087EM
consists of two individual, isolated 5087E PNP silicon
transistors with matched VBE(ON) characteristics.
This device is designed for applications requiring high
gain and low noise.
MARKING CODE: L87
FEATURES:
• Transistor pair matched for VBE(ON)
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
SOT-563 CASE
• Device is
Halogen Free
by design
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
50
50
5.0
100
350
-65 to +150
357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
SYMBOL
TEST CONDITIONS
ICBO
VCB=20V
IEBO
VEB=3.0V
BVCBO
IC=100μA
BVCEO
IC=1.0mA
BVEBO
IE=100μA
VCE(SAT)
IC=10mA, IB=1.0mA
VCE(SAT)
IC=100mA, IB=10mA
VBE(SAT)
IC=10mA, IB=1.0mA
hFE
VCE=5.0V, IC=0.1mA
hFE
VCE=5.0V, IC=1.0mA
hFE
VCE=5.0V, IC=10mA
hFE
VCE=5.0V, IC=100mA
fT
VCE=5.0V, IC=500μA, f=20MHz
Cob
VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz
Cib
VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
hfe
VCE=5.0V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
NF
VCE=5.0V, IC=100μA, RS=10kΩ
f=10Hz to 15.7kHz
MATCHING CHARACTERISTICS:
SYMBOL
TEST CONDITIONS
|
VBE1-VBE2
|
VCE=5.0V, IC=1.0μA
|
VBE1-VBE2
|
VCE=5.0V, IC=5.0μA
|
VBE1-VBE2
|
VCE=5.0V, IC=10μA
|
VBE1-VBE2
|
VCE=5.0V, IC=100μA
(TA=25°C unless otherwise noted)
MIN
TYP
MAX
50
50
50
150
50
105
5.0
7.5
50
100
225
400
700
800
300
390
900
300
380
300
350
50
75
100
4.0
15
350
1400
3.0
MIN
MAX
10
10
10
10
UNITS
mV
mV
mV
mV
UNITS
nA
nA
V
V
V
mV
mV
mV
MHz
pF
pF
dB
R3 (18-June 2015)

 
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