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CMH01(TE12L,Q,M)

产品描述DIODE GEN PURP 200V 3A M-FLAT
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小364KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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CMH01(TE12L,Q,M)概述

DIODE GEN PURP 200V 3A M-FLAT

CMH01(TE12L,Q,M)规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)200V
电流 - 平均整流(Io)3A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf980mV @ 3A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)100ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流10µA @ 200V
安装类型表面贴装
封装/外壳SOD-128
供应商器件封装M-FLAT(2.4x3.8)
工作温度 - 结-40°C ~ 150°C

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CMH01
High-Efficiency Diode (HED) Silicon Epitaxial Type
CMH01
Radio-Frequency Rectification in Switching Regulators
Repetitive peak reverse voltage : V
RRM
= 200 V
Average forward current
: I
F (AV)
= 3.0 A
Peak forward voltage
: V
FM
= 0.98 V (max)
Very Fast Reverse-Recovery Time : trr = 35 ns (max)
Suitable for high-density board assembly due to the use of a small
Toshiba Nickname: M−FLAT
TM
Unit: mm
Absolute Maximum Ratings
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Repetitive peak reverse voltage
Average forward current
Non-repetitive peak forward surge current
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
RRM
I
F (AV)
I
FSM
T
j
T
stg
Rating
200
3.0 (Note 1)
40 (50 Hz)
−40
to 150
−40
to 150
Unit
V
A
A
°C
°C
1 ANODE
2 CATHODE
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
3-4E1S
Note 1: Tℓ = 96°C
Device mounted on a ceramic board
board size
: 50 mm
×
50 mm
Soldering land size : 2 mm
×
2 mm
board thickness
: 0.64 mm
Weight: 0.023 g (typ.)
Note2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of
high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Electrical Characteristics
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Symbol
V
FM (1)
Peak forward voltage
Repetitive peak reverse current
Reverse recovery time
Forward recovery time
V
FM (2)
V
FM (3)
I
RRM
t
rr
t
fr
Test Condition
I
FM
=
0.1 A (pulse test)
I
FM
=
1.0 A (pulse test)
I
FM
=
3.0 A (pulse test)
V
RRM
=
200 V (pulse test)
I
F
=
1 A, di/dt =
−30
A/µs
I
F
=
1 A
Device mounted on a ceramic board
board size
50 mm
×
50 mm
soldering land size
2 mm
×
2 mm
board thickness
0.64 mm
Thermal resistance
(junction to ambient)
R
th (j-a)
Device mounted on a glass-epoxy board
board size
50 mm
×
50 mm
soldering land size
6 mm
×
6 mm
board thickness
1.6 mm
Device mounted on a glass-epoxy board
board size
50 mm
×
50 mm
soldering land size
2.1 mm
×
1.4 mm
board thickness
1.6 mm
Thermal resistance (junction to lead)
R
th (j-ℓ)
Min
Typ.
0.64
0.80
0.90
Max
0.98
10
35
100
60
μA
ns
ns
V
Unit
135
°C/W
210
16
°C/W
Start of commercial production
1
2002-12
2018-10-01

CMH01(TE12L,Q,M)相似产品对比

CMH01(TE12L,Q,M) CMH01(T2L,HITJ,X)
描述 DIODE GEN PURP 200V 3A M-FLAT Rectifier Diode
二极管类型 标准 RECTIFIER DIODE
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