MOSFET N-CH 750V 7.4A SOT223
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 750V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 7.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 1 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.5V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14.9nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 328pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 5W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| IPN70R1K0CEATMA1 | SP001646912 | IPN70R1K0CE | |
|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 750V 7.4A SOT223 | Power Field-Effect Transistor, | CoolMOS™ CE is a technology platform of Infineon´s market leading high voltage power MOSFET designed according to the superjunction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements. With the extended family, Infineon offers 600V, 650V and 700V devices targeting low power chargers for mobile devices and power tools, LCD, LED TV and LED lighting applications. |
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