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RY2AV

产品描述DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小58KB,共2页
制造商SANKEN
官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/
标准
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RY2AV概述

DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

RY2AV规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)600V
电流 - 平均整流(Io)3A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.15V @ 3A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)200ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流10µA @ 600V
安装类型通孔
封装/外壳轴向
工作温度 - 结-40°C ~ 150°C

RY2AV相似产品对比

RY2AV RY2AV1 RU 4 RY2A
描述 DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL DIODE GEN PURP 400V 1.5A AXIAL DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
二极管类型 标准 标准 标准 RECTIFIER DIODE
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 600V 600V 400V -
电流 - 平均整流(Io) 3A 3A 1.5A -
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.15V @ 3A 1.15V @ 3A 1.5V @ 3A -
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) -
反向恢复时间(trr) 200ns 200ns 400ns -
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 10µA @ 600V 10µA @ 600V 10µA @ 400V -
安装类型 通孔 通孔 通孔 -
封装/外壳 轴向 轴向 轴向 -
工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -

 
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