IS61WV51216BLL-10MLI,IS61WV51216BLL-10MLI pdf中文资料,IS61WV51216BLL-10MLI引脚图,IS61WV51216BLL-10MLI电路-Datasheet-电子工程世界

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IS61WV51216BLL-10MLI: 产品描述Standard SRAM, 512KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 9 X 11 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48; 产品类别存储存储; 文件大小200KB，共20页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IS61WV51216BLL-10MLI概述

Standard SRAM, 512KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 9 X 11 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48

IS61WV51216BLL-10MLI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA48,6X8,30
针数	48
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	3A991
Factory Lead Time	8 weeks
最长访问时间	10 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e1
长度	11 mm
内存密度	8388608 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	48
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.02 A
最小待机电流	1.2 V
最大压摆率	0.095 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	9 mm
Base Number Matches	1

IS61WV51216BLL-10MLI相似产品对比

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描述	Standard SRAM, 512KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 9 X 11 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48	Standard SRAM, 512KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44	Standard SRAM, 512KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44	IC SRAM 8MBIT 10NS 44TSOP	Standard SRAM, 512KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 9 X 11 MM, LEAD FREE, MBGA-48	Standard SRAM, 512KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 9 X 11 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48	Standard SRAM, 512KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44	Standard SRAM, 512KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 9 X 11 MM, MINI, BGA-48
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	不符合
Reach Compliance Code	compli	compli	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	-	-	不含铅	不含铅	含铅
零件包装代码	BGA	TSOP2	TSOP2	-	-	BGA	TSOP2	BGA
包装说明	TFBGA, BGA48,6X8,30	TSOP2, TSOP44,.46,32	TSOP2,	-	TFBGA,	TFBGA, BGA48,6X8,30	TSOP2, TSOP44,.46,32	TFBGA, BGA48,6X8,30
针数	48	44	44	-	-	48	44	48
ECCN代码	3A991	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	-	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
Factory Lead Time	8 weeks	8 weeks	8 weeks	12 weeks	8 weeks	12 weeks	12 weeks	-
最长访问时间	10 ns	10 ns	10 ns	-	10 ns	10 ns	10 ns	10 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	-	-	-	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B48	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	-	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PDSO-G44	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e1	e3	e3	-	e1	e1	e3	e0
长度	11 mm	18.415 mm	18.415 mm	-	11 mm	11 mm	18.415 mm	11 mm
内存密度	8388608 bi	8388608 bi	8388608 bit	-	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit
内存宽度	16	16	16	-	16	16	16	16
湿度敏感等级	3	3	3	-	-	3	3	3
功能数量	1	1	1	-	1	1	1	1
端子数量	48	44	44	-	48	48	44	48
字数	524288 words	524288 words	524288 words	-	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	-	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	-	85 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	512KX16	512KX16	512KX16	-	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	-	-	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TSOP2	TSOP2	-	TFBGA	TFBGA	TSOP2	TFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30	TSOP44,.46,32	-	-	-	BGA48,6X8,30	TSOP44,.46,32	BGA48,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	-	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	-	NOT SPECIFIED	260	260	NOT SPECIFIED
电源	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	-	-	-	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	-	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.02 A	0.02 A	-	-	-	0.05 A	0.05 A	0.05 A
最小待机电流	1.2 V	1.2 V	-	-	-	1.2 V	1.2 V	1.2 V
最大压摆率	0.095 mA	0.095 mA	-	-	-	0.14 mA	0.14 mA	0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	-	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.4 V	2.4 V	2.4 V	-	2.4 V	2.4 V	2.4 V	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	-	INDUSTRIAL	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Matte Tin (Sn) - annealed	MATTE TIN	-	TIN SILVER COPPER	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Matte Tin (Sn) - annealed	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	GULL WING	GULL WING	-	BALL	BALL	GULL WING	BALL
端子节距	0.75 mm	0.8 mm	0.8 mm	-	0.75 mm	0.75 mm	0.8 mm	0.75 mm
端子位置	BOTTOM	DUAL	DUAL	-	BOTTOM	BOTTOM	DUAL	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40	10	40	-	NOT SPECIFIED	40	40	NOT SPECIFIED
宽度	9 mm	10.16 mm	10.16 mm	-	9 mm	9 mm	10.16 mm	9 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	-
厂商名称	-	-	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	-	Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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